ＮＥＣ、次世代半導体メモリーＭＲＡＭ　省エネ型、セルの微細化容易　2009/6/16

ＮＥＣ、次世代半導体メモリーＭＲＡＭ　省エネ型、セルの微細化容易
（フジサンケイ ビジネスアイ ）

ＮＥＣでは、垂直磁化構造を使った「磁壁移動方式」という独自のセル機構を採用。これにより、５５ナノ（１ナノは１０億分の１）メートル世代以降の微細セルにおいても書き込み電流の低減が可能になり、セルを微細化することが容易となった。
記事全文
集積化技術は非常に厳しい競争が続いています。身近なところではUSBフラッシュシュメモリーやSDカードが数年で容量数ギガバイトがあたり前になり、４ギガバイトのUSBメモリの価格が今では１０００円を切ることもあります。

この記事では次世代型として期待されるMRAMで、５５ナノメートル世代の微細化が可能になったということに意義があるようです。従来型では、すでに線幅５６ナノメートルでの量産が行われているようですね。
東芝、線幅56ナノのフラッシュメモリー量産を開始（2007/1/25　NIKKEI NET ）